ddr2和ddr3的区别 _生活经验

ddr2和ddr3的区别DDR3时代

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预?。?这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8 ， DDR3-800的核心工作频率只有100MHz 。

2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处：

1.突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit ，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。另外，DDR3还新增加了一个时序参数－－写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接（Point-to-Point ， P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

DDR和DDR2，DDR3的区别以及如何从外观上分辨出来严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR ，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM 。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V 。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于， DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此， DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。最后说下DDR3其实它相对来说我觉得叫DDR2pro应该更为贴切.因为它其实是DDR2的延伸..只是提升了频率降低了能耗..实际的技术并没有特别的变化现在DDR3内存相对来说似乎还是一些中高档显卡用的,系统用到的还比较少..主要区别是从槽子上区分的，如图：
DDR2和DDR3有什么区别插槽是不一样，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。
DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin 。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3
UB
DIMM
2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。
一、DDR2与DDR3内存的特性区别：
1、逻辑Bank数量
DDR2
SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装， 16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst
Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst
Length）也固定为8 ，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统， BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit
Burst
Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点（桌上型unbuffered
DIMM）：
1.速度更快：prefetch
buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3
Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-Refresh
Temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，Partial
Array
Self-Refresh功能），达到省电目的。
3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准， DDR2应可出到单位元元4Gb的容量（亦即单条模块可到8GB），但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB 。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题

ddr和ddr2和ddr3怎么区分谢谢内存条的区分是金手指数量多少：DDR184主频266/333/400DDR2240工作电压1.8v主频533/667/800/1066/1200DDR3240工作电压1.5v主频 1333/1600/1800/1866/2000/2133/2200/2400

内存DDR2和DDR3区别到底在哪？【ddr2和ddr3的区别】简单地说，DDR2和DDR3的主要区别是，DDR3能够达到DDR2两倍左右的外部传输速度，这是因为随着计算机内部总线的传输速度的提升，DDR2的速度已经无法满足最新的计算机系统对内存传输速度的要求了。现在主流的DDR2能到达的速度是800MHZ，而DDR3可以达到1600MHZ

内存和显卡使用的都是一样的存储技术，只不过内存目前DDR2较为普及，而显存使用的主流是DDR3，因为相对内存来说，显存的速度要求更高。有一些显卡使用了DDR4显存，如3870和部分4850 ，还有使用了DDR5显存的，如4870

DDR和DDR2，DDR3，区别在那里

文章插图

DDR：DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400 。DDR2：DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800 。DDR3：DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600 。所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。DDR2与DDR的区别： 1、速率与预取量 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。2、封装与电压 DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V 。3、bit pre-fetch DDR为2bit pre-fetch ， DDR2为4bit pre-fetch 。4、新技术的引进 DDR2引入了OCD、ODT和POST（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。DDR3与DDR2的区别：1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V； 2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格； 3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个； 4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式； 5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）； 6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级； 9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
DDR2和DDR3插槽一样吗？

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DDR2和DDR3的插槽是不一样的，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。既支持DDR2内存卡还支持DDR3内存卡的主板，其中2个是DDR2内存卡的插槽，另外2个是DDR3内存卡的插槽，但是不能同时使用2种类型的，只能选择1种。DDR3 SDRAM（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍）。DDR2内存卡与DDR3内存卡的区别如下：1、防呆缺口不一样：DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚。DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。2、读取数据的速度不一样：DDR2内存卡预读取能力为4bit数据读预取。DDR3内存卡预读取能力为16bit数据读预取。3、使用电压不同：DDR2内存卡的使用电压为1.8V 。DDR3内存卡的使用电压为1.5V 。参考资料：百度百科-DDR3内存参考资料：百度百科-DDR2内存
DDR3和DDR2有什么区别

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1、逻辑Bank数量DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装(Packages)由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度(BL，Burst Length)由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的， DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式。即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。4、寻址时序(Timing)就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD) ，这一参数将根据具体的工作频率而定。DDR2和DDR3的内存条一般不能同时使用在同一个电脑上，会出现不兼容的情况。主板DDR2是指主板支持DDR2的内存条。扩展资料DDR选购方法做工要精良对于选择内存来说，最重要的是稳定性和性能，而内存的做工水平直接会影响到性能、稳定以及超频。内存颗粒的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。所以大家在购买时，尽量选择大厂生产出来的内存颗粒，一般常见的内存颗粒厂商有三星、现代、镁光、南亚、茂矽等，它们都是经过完整的生产工序，因此在品质上都更有保障。而采用这些顶级大厂内存颗粒的内存条品质性能，必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多。内存PCB电路板的作用是连接内存芯片引脚与主板信号线，因此其做工好坏直接关系着系统稳定性。目前主流内存PCB电路板层数一般是6层，这类电路板具有良好的电气性能，可以有效屏蔽信号干扰。而更优秀的高规格内存往往配备了8层PCB电路板，以起到更好的效能。参考资料：百度百科-DDR2百度百科-DDR3
内存条DDR3和DDR2有什么区别？要详细的。针脚是一样多
只是插槽不一样
DDR2
3最大的区别不在频率
在于DDR3运用8位存取
DDR2是四位
这样提高了读取速度
你看SPD
DDR2绝对比DDR3快
但是内存采用了高速读取
比DDR2快一倍

内存条ddr2和ddr3有什么区别?速度一样吗?DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外， DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5 。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：

(1)功耗和发热量较?。何×薉DR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低， DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大， 4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

电脑内存条DDR和DDR2、DDR3有什么区别，插槽口都是一样的吗》？首先无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz167MHz200MHz等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266333400
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667800
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。

而内存的真正工作频率决定了延迟了，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。

另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。

至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上。不能兼容。

DDR2和 DDR3接口一样吗？还有其他区别在哪儿？DDR2和DDR3的区别
内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin 。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市?。?成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。
一、DDR2与DDR3内存的特性区别：
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL ， Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit ，所以突发传输周期（BL ， Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的， DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点（桌上型unbuffered DIMM）：
1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V ，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），达到省电目的。
3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准， DDR2应可出到单位元元4Gb的容量（亦即单条模块可到8GB），但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB 。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题（注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限）。

DDR2和DDR3的接口是一样的吗？2的接口上3可以吗？DDR2显存可以看作是DDR显存的一种升级和扩展，DDR2显存把DDR显存的“2bit Prefetch(2位预取)”技术升级为“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，在相同的核心频率下其有效频率比DDR显存整整提高了一倍，在相同显存位宽的情况下，把显存带宽也整整提高了一倍，这对显卡的性能提升是非常有益的。从技术上讲，DDR2显存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中处理4个数据而非DDR显存的2个数据，这样DDR2显存便实现了在每个时钟周期处理4bit数据，比传统DDR显存处理的2bit数据提高了一倍。相比DDR显存，DDR2显存的另一个改进之处在于它采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式，工作电压也由2.5V降为1.8V 。
由于DDR2显存提供了更高频率，性能相应得以提升，但也带来了高发热量的弊端。加之结构限制无法采用廉价的TSOP封装，不得不采用成本更高的BGA封装(DDR2的初期产能不足，成本问题更甚) 。发热量高、价格昂贵成为采用DDR2显存显卡的通病，如率先采用DDR2显存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列显卡就是比较失败的产品。基于以上原因，DDR2并未在主流显卡上广泛应用。DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外， DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通?。珼DR3也不例外， DDR3的CAS latency为5/6/7/8 ，相比之下DDR2为3/4/5 。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：

(1)功耗和发热量较?。何×薉DR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大， 4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

DDR3内存与DDR2内存的接口是不一样的..两者不能兼容,但DDR3内存价格偏贵,要普及的话还有一段时间,所以有些主板厂商就推了同时有DDR2.DDR3两种内存插槽的主板,以便用户日后升级用....如INTEL的P35,P43,P45芯片组

DDR2和DDR3的主板插槽是一样的吗？如果你的电脑支持DDR2还支持DDR3那你的电脑里最少有4个插槽其中两根是DDR2两根是DDR3它们插口的豁口位置是不一样的除非破坏性操作是插不进去的插之前拿两根条子放到一起对比一下你会发现它们之间的不同千万不要盲目的插会烧的

内存DDR2 和DDR3插槽一样吗.DDR2显存可以看作是DDR显存的一种升级和扩展，DDR2显存把DDR显存的“2bit Prefetch(2位预取)”技术升级为“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，在相同的核心频率下其有效频率比DDR显存整整提高了一倍，在相同显存位宽的情况下，把显存带宽也整整提高了一倍，这对显卡的性能提升是非常有益的。从技术上讲，DDR2显存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中处理4个数据而非DDR显存的2个数据，这样DDR2显存便实现了在每个时钟周期处理4bit数据，比传统DDR显存处理的2bit数据提高了一倍。相比DDR显存，DDR2显存的另一个改进之处在于它采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式，工作电压也由2.5V降为1.8V 。
由于DDR2显存提供了更高频率，性能相应得以提升，但也带来了高发热量的弊端。加之结构限制无法采用廉价的TSOP封装，不得不采用成本更高的BGA封装(DDR2的初期产能不足，成本问题更甚) 。发热量高、价格昂贵成为采用DDR2显存显卡的通病，如率先采用DDR2显存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列显卡就是比较失败的产品。基于以上原因，DDR2并未在主流显卡上广泛应用。DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通?。?DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5 。客观地说， DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：

(1)功耗和发热量较?。何×薉DR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit ，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前， DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

DDR3内存与DDR2内存的接口是不一样的..两者不能兼容,但DDR3内存价格偏贵,要普及的话还有一段时间,所以有些主板厂商就推了同时有DDR2.DDR3两种内存插槽的主板,以便用户日后升级用....如INTEL的P35,P43,P45芯片组

见机闲聊#DDR2和DDR3有什么区别DDR3可以在800MHz至2000MHz下运行（也可更高），而DDR2是在533MHz至1066MHz下运行。一般来讲，DDR3是DDR2频率的两倍，通过削减一半读写时间给系统带来操作性能提高。DDR3相比DDR2可以节约16%的电能，因为新一代DDR3是在1.5V电压下工作，而DDR2则是在1.8V下工作，这样可以弥补由于过多的操作频率所产生的高电能消耗，同时，减少的能量消耗可以延长部件的使用寿命。DDR3内存Bank增加到了8个，比DDR2提高了一倍。所以相比DDR2预读取会提高50%的效率，是DDR2标准的两倍。

笔记本内存条ddr2和ddr3的区别无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz 167MHz 200MHz 等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。

内存条DDR2和DDR3的区别是什么？DDR2内存和DDR3内存的区别与比较
DDR3与DDR2的不同之处
1、逻辑Bank数量
DDR2
SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度（BL，Burst
Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst
Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit
Burst
Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
3、寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4 ，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。另外， DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时， DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

显卡DDR2和DDR3有什么区别

文章插图

一、主体不同1、DDR2：是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准。2、DDR3：是一种计算机内存规格。是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者。二、特点不同1、DDR2：采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式。2、DDR3：采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。三、寻址时序不同1、DDR2：DDR2的CL范围在2～5之间，AL的范围是0～4 。2、DDR3：DR3的CL范围在5～11之间，AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2 。参考资料来源：百度百科-DDR3参考资料来源：百度百科-DDR2
电脑内存条DDR和DDR2、DDR3有什么区别?首先无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz167MHz200MHz等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266333400
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667800
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。

而内存的真正工作频率决定了延迟了，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。

另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。

至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上。不能兼容。

电脑的内存型号ddr3和ddr2有什么区别？1、DDR3在1个时钟周期内工作8次，DDR2只工作4次，所以相同核心频率下DDR3的等效频率是DDR2的2倍(ps:内存型号上标注的是等效频率);
2、DDR3由于采用了更新的制程，所以功耗和发热比DDR2低一些

内存DDR2和DDR3性能差异多少SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR3与DDR2的区别是什么?性能提升了多少?当然了，相差大改在20%-30%之间在玩大型游戏功能都开启时512M的只在大屏输出的时候才能体现它的价值

同样大小的DDR2和DDR3性能上区别怎么样当然是速度快过,但是目前还是性价比很低的东西，因为工艺的原因,价格高，这是第一个。第二，DDR3是从1066MHZ起步,DDR2最高也就是1066,相比之下，1066的DDR3并不比1066的DDR2快.而且,DDR2工艺成熟,价格便宜，更容易被消费者接受. 类似DDR1 500 和DDR2 500一样的.但是，当DDR3工艺过度到1306,甚至更高的时候,性价比才显示出来.就象 DDR1 500和DDR2 667/DDR2 800的情况一样. 厂家转换工艺需要考虑N多问题的.第三,DDR3虽然在速度上有优势,但是目前还是存在高延迟的问题.这正是上面说的DDR3 1066不比DDR2 1066快的原因所以，目前来说,DDR2 800或是1066还是最佳的选择，估计到明年DDR3才显示优势.

内存条DDR2和DDR3速度上差别大吗？？补充回答：没必要1066，除非你要用4核，双核的有2条667就足够了..
如果你肯花票子买4核，当然内存要用DDR3
1333×2了，因为AMD羿龙的总线频率是2600，但是AMD的CPU对内存双通道的依赖不是很大，Intel
Core
2
Extreme
的总线频率也不过1000罢了，2条800就够用了....
其实在反映速度上3不见得比2快，但是带宽和频率上面绝对站优势，如果你用
CORE
2
EXTREME，你可以选DDR3内存，如果是一般的双核建议你还是选用DDR2的产品，毕竟DDR3的太贵了，而CPU的主频还没根上内存的发展，800的DDR2现在看来足够了...

DDR2与DDR3内存性能差距首先通过换内存提高终端“质”的飞跃是不现实的。

无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz167MHz200MHz等
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266333400
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667800
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。

而内存的真正工作频率决定了延迟了， DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。

另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。

至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上。不能兼容。

参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/359234478.html?fr=qrl&index=3